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Wafer

두께 조절 가능

 Description

 Contents

 Diameter

200mm, 300mm, etc 

 Growth Method

CZ/FZ 

 Type/Dopant

 P-Type (Boron)

N-Type (Arenic/phosphorus)

 Orientation

1-0-0/1-1-1

 Resistivity

 0.005cm~10Kcm

 Thickness

 SEMI Standard (두께 조절 가능)

Surface Type 

Single or Double side polished 

 Grade

 Prime, Test, Dummy


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